日経エレクトロニクス

2023年11月号

・横型ＧａＮ猛追　安くて、速くて、高効率でＳｉの領域を侵食

・価格競争力を付けたＧａＮ　ＨＥＭＴ　弱点も克服でＳｉ　ＭＯＳＦＥＴに挑む

・誰でも造れるＧａＮ　ＨＥＭＴ　Ｓｉ半導体の製造設備の転用相次ぐ

・上位企業は海外勢　基板は強いが存在感薄い日本

・ＮＴＴイノベーティブデバイスが始動、ＩＯＷＮの根幹担う光電融合デバイスを開発　ほか

・ラピダス起工式に関連大手が勢ぞろい　半導体ムラ形成に着々前進西村経産大臣が会見、岸田首相もメッセージ

・ｉＰｈｏｎｅ　１５シリーズ発売　噂通りＵＳＢーＣや潜望鏡レンズを搭載プリズムでの４回反射で最大５倍ズームに

・ＪＡＸＡが挑む世界初「月面精密着陸」誤差１００ｍ以内、画像照合で自己位置推定着陸成功ならインドに続いて世界で５番目に

・Ｉｎｔｅｌが２４年に出荷の新世代Ｘｅｏｎ　ＡＭＤに５年遅れてチップレットベースに「Ｈｏｔ　Ｃｈｉｐｓ　２０２３」で発表、演算用とＩ／Ｏ用のチップレットを統合

・ＡＣＳＬ、「レベル４」ドローン開発の苦闘　総費用は１０億円、社員総出で飛行試験国内第１号機、安全性確保に「冗長性」と「耐障害性」のアプローチ

・半導体ＡＩ設計支援の威力「設計工数が３０分の１に」ソニーセミコンダクタソリューションズとキヤノンが検証

・異種チップ集積の低コスト化狙い　ダイレクト露光を有機インターポーザーにオーク製作所とＮＥＤＯが２５年にＬ／Ｓ＝１．２uｍの量産試作機

・スマホで天下を取ったＡｒｍが狙う次　サーバー用ＩＰコアセットを発表ＩｎｔｅｌとＡＭＤが９割押さえるｘ８６の牙城に挑む

・韓国２４年度はメリハリ予算　電池・半導体などへ集中投資研究開発予算総額は減額、重点分野は６．３％増

・「技術者も起業家もクリエーター」ＣＴＯオブ・ザ・イヤー受賞者が講演大賞にソニーＧ北野氏、特別賞にＮＴＴ川添氏と三菱ケミカルＧのマイクスナー氏

・解説　半導体　マイコン市場で１５年ぶりの地殻変動　きっかけはフラッシュ微細化限界

・解説　ディスプレー　東レがバンプまでレーザー転写　マイクロＬＥＤ量産への壁破る

・解説　ロボティクスフォークリフト運転者不足で「無人機」に脚光　老舗・新興・中国系が市場争奪戦

・解説　技術トップに聞く　ローム　取締役　上席執行役員　ＣＴＯの立石　哲夫氏「技術ロードマップは作らない」リソース配分で現場をコントロール

・「やっぱり無理でした」、２０代の記者が旧車を東京で維持できなかった理由　ほか

・ロームがＳｉキャパシターに参入　２０３０年３０００億円市場に挑む　ほか